전자농도의 양자역학적 계산 및 입자 모의 실험을 이용한 Pseudomorphic Al Ga As/Ga In As/GaAs HEMT소자의 전송 특성 해석

상세정보

자료유형	학위논문
서명/저자사항	전자농도의 양자역학적 계산 및 입자 모의 실험을 이용한 Pseudomorphic Al Ga As/Ga In As/GaAs HEMT소자의 전송 특성 해석= (An)analysis of the characteristics of pseudomorphic Al Ga As/Ga In As/GaAs HEMT devices based on quantum mechanical calculation of electron concentrations and particle simulation/ 宋榮珍.
개인저자	송영진.
단체저자명	중앙대학교. 대학원. 전자공학과.
발행사항	서울: 中央大學校, 1993.
형태사항	xiv,164장: 삽화; 26cm.
학위논문주기	학위논문(박사) -- 중앙대학교 대학원:전자공학과 반도체공학전공,1993
비통제주제어	전자농도,HEMT,DEVICE,QUANTUM,CALCULATION,ELECTRON,CONCENTRATION,PARTICLE,SIMULATION
분류기호(DDC)	621.38
언어	한국어