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Si掺杂对Ga2O3/BP异质结光电性能调控的第一性原理研究.
First principles study on the effect of Si doping on the optoelectronic properties of Ga2O3/BP heterojunctions. 미리보기

학술저널

issue
Journal of Atomic & Molecular Physics (1000-0364). Aug2025, Vol. 42 Issue 4, p1-7. 7p.
Author
李佳宏1
郝增瑞1
薛瑞鑫1
阚红梅1
关玉琴1 gyqzlf@163.com
DB Label
Database : Academic Search Complete
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